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射频晶体管

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相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Renesas Electronics
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
系列	HFA3135
晶体管类型	Bipolar
技术	Si
晶体管极性	PNP
直流集电极/Base Gain hfe Min	15
集电极—发射极最大电压 VCEO	11 V
发射极 - 基极电压 VEBO	4.5 V
集电极连续电流	0.026 A
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
配置	Dual
封装 / 箱体	SOT-23
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	12 V
直流电流增益 hFE 最大值	15 at 10 mA at 2 V, 151 mA at 2 V, 150.1 mA at 2 V, 1510 mA at 5 V, 151 mA at 5 V, 150.1 mA at 5 V
高度	1.15 mm
长度	2.9 mm
工作频率	7000 MHz (Typ)
类型	RF Bipolar Small Signal
宽度	1.6 mm
商标	Renesas / Intersil
增益带宽产品fT	7000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流	0.026 A
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	18 mg

商品其它信息

优势价格，HFA3135IHZ96的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BFP650FH6327XTSA1	Infineon Technologies	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR	1:¥4.068 10:¥3.4239 100:¥2.0905 1,000:¥1.6159 3,000:¥1.3786	参考库存:22131
SD1143-01	Advanced Semiconductor, Inc.	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor	1:¥751.111 10:¥689.2548 25:¥618.562 50:¥547.8692	参考库存:15296
A3T23H300W23SR6	NXP Semiconductors	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T23H300W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP	1:¥737.664 5:¥724.1379 10:¥691.56 25:¥668.508 100:¥622.4831 150:¥570.3788	参考库存:1948
ARF466FL	Microchip / Microsemi	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥732.3643 2:¥709.6174 5:¥709.3914 10:¥686.5654	参考库存:1803
D2002UK	Semelab / TT Electronics	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V- 1GHz SE	1:¥539.9592 10:¥476.7922 25:¥423.0833 50:¥400.9466	参考库存:1822