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射频晶体管
2731GN-200M参考图片

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2731GN-200M

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
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数量单价合计
5
¥4,744.5649
23722.8245
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
技术
Si
商标
Microchip / Microsemi
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,2731GN-200M的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
1:¥1,020.277
5:¥1,000.5359
10:¥967.4947
25:¥926.5322
150:¥830.7986
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射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
1:¥218.2256
10:¥209.8523
参考库存:3694
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥823.8039
参考库存:17155
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
50:¥337.3276
100:¥291.766
250:¥274.2397
参考库存:3707
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥3,941.1236
参考库存:17160
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