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射频晶体管
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SS9018HBU

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1
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1.8419
10
¥1.2317
12.317
100
¥0.51528
51.528
1,000
¥0.35369
353.69
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
SS9018
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
97
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极连续电流
50 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92
封装
Bulk
集电极—基极电压 VCBO
30 V
直流电流增益 hFE 最大值
198
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
工作频率
1100 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
3.93 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
增益带宽产品fT
1100 MHz
最大直流电集电极电流
0.05 A
Pd-功率耗散
400 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
SS9018HBU_NL
单位重量
179 mg
商品其它信息
优势价格,SS9018HBU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-500MHz PP
50:¥637.3878
100:¥627.5568
参考库存:16522
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参考库存:16525
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参考库存:3067
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1:¥1,551.2414
10:¥1,423.461
25:¥1,277.465
50:¥1,131.469
参考库存:16530
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.815
25:¥25.8996
50:¥23.052
参考库存:3228
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