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射频晶体管
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SS9018HBU

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库存:42,778(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.8419
1.8419
10
¥1.2317
12.317
100
¥0.51528
51.528
1,000
¥0.35369
353.69
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
SS9018
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
97
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极连续电流
50 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92
封装
Bulk
集电极—基极电压 VCBO
30 V
直流电流增益 hFE 最大值
198
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
工作频率
1100 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
3.93 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
增益带宽产品fT
1100 MHz
最大直流电集电极电流
0.05 A
Pd-功率耗散
400 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
SS9018HBU_NL
单位重量
179 mg
商品其它信息
优势价格,SS9018HBU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V
1:¥798.6727
5:¥783.1578
10:¥757.3373
25:¥725.2905
250:¥650.2924
参考库存:17639
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 4Watt NF 1.3dB GaN
50:¥182.3368
100:¥161.138
250:¥149.838
500:¥139.3855
参考库存:17642
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:7132
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TAPE7 TNS-RFSS
1:¥4.4522
10:¥3.6838
100:¥2.2487
1,000:¥1.7402
3,000:¥1.4803
参考库存:7225
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2
500:¥156.0643
参考库存:17649
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