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射频晶体管
MRF6V13250HSR5参考图片

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MRF6V13250HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS
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库存:15,801(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2,209.2291
2209.2291
5
¥2,175.2613
10876.3065
10
¥2,142.9094
21429.094
25
¥2,096.6585
52416.4625
50
¥2,064.4648
103223.24
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
120 V
增益
20 dB
输出功率
230 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.3 GHz
系列
MRF6V13250H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
476 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
零件号别名
935323152178
单位重量
4.763 g
商品其它信息
优势价格,MRF6V13250HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.2374
100:¥1.2091
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.78422
9,000:¥0.72998
参考库存:7647
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
1:¥476.408
25:¥412.0206
100:¥356.3794
250:¥331.4064
参考库存:4094
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdMOST N-Ch 6W 15dB 870MHz
1:¥116.0284
10:¥106.6494
25:¥102.2763
100:¥90.061
600:¥80.1396
参考库存:17532
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-175HMz SE
1:¥499.3809
10:¥439.1406
25:¥390.3472
50:¥350.1644
参考库存:17535
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,046.8659
参考库存:17538
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