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射频晶体管
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D2014UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-1GHz SE
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数量单价合计
50
¥373.2164
18660.82
100
¥362.9108
36291.08
250
¥357.7693
89442.325
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
2.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-171-6
配置
Single
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
17.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D2014UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF8P29300HR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 300W 50V NI1230
150:¥2,665.8847
参考库存:15501
BLV10
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥484.092
10:¥403.41
25:¥363.069
50:¥322.728
参考库存:15504
BFS 17W H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.52206
参考库存:14761
A2T21H410-24SR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H410-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,282.0754
参考库存:15509
PTVA035002EV-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥2,586.3553
参考库存:15512
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