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射频晶体管
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TPV595A

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数量单价合计
1
¥1,551.2414
1551.2414
10
¥1,423.461
14234.61
25
¥1,277.465
31936.625
50
¥1,131.469
56573.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
5.2 A
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装
Tray
工作频率
860 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
65 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,TPV595A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥512.6019
参考库存:17226
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 700mW
1:¥5.4579
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
3,000:¥1.8419
参考库存:6734
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
1:¥254.1822
5:¥251.5719
10:¥234.4411
25:¥223.9095
参考库存:17231
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
1:¥157.9062
25:¥136.5492
100:¥118.1076
250:¥109.8812
参考库存:3768
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
10,000:¥1.04525
参考库存:14195
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