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射频晶体管
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TPV595A

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数量单价合计
1
¥1,551.2414
1551.2414
10
¥1,423.461
14234.61
25
¥1,277.465
31936.625
50
¥1,131.469
56573.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
5.2 A
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装
Tray
工作频率
860 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
65 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,TPV595A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24300GN/FM2///REEL 13 Q2 DP
250:¥853.15
参考库存:16876
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm
100:¥44.7932
300:¥41.8778
500:¥39.1093
1,000:¥36.5781
2,500:¥36.4199
参考库存:3578
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
1:¥83.7556
10:¥76.9982
25:¥73.6082
100:¥65.088
1,000:¥51.5619
参考库存:4401
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM
1:¥691.0967
5:¥677.7288
10:¥655.287
25:¥627.5568
50:¥618.9462
参考库存:3536
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.2318
10:¥2.4634
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
9,000:¥0.80682
参考库存:12369
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