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射频晶体管
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CGHV27060MP

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt
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¥775.9258
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250
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193981.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
18.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
6.3 A
输出功率
60 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 90 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QSOP-20
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
应用
-
配置
Single
工作频率
2.7 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 90 C
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
湿度敏感性
Yes
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
单位重量
241.200 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF1015NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1015N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
1:¥157.9062
5:¥150.9906
10:¥145.6909
25:¥127.0911
500:¥109.6552
参考库存:3356
A2V09H525-04NR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H525-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
1:¥1,154.6792
5:¥1,128.9378
10:¥1,105.8067
25:¥1,089.5121
150:¥1,026.3564
参考库存:16430
TPS92613EVM
Texas Instruments
射频晶体管
LED 照明开发工具 TPS92613EVM
1:¥1,185.3361
参考库存:2942
SD3933
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥1,081.6021
5:¥1,060.392
10:¥1,010.9884
25:¥989.6992
参考库存:16435
MMRF1007HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V
50:¥4,765.0744
参考库存:16438
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