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晶体管
BSS314PEH6327XT参考图片

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BSS314PEH6327XT

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库存:15,788(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.3391
23.391
100
¥1.00683
100.683
1,000
¥0.7684
768.4
3,000
¥0.58421
1752.63
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
107 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
- 2.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS314
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
3 S
下降时间
2.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.4 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns
零件号别名
BSS314PE BSS314PEH6327XTSA1 H6327 SP000928944
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BSS314PEH6327XT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥4.1471
10:¥3.4465
100:¥2.1018
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
参考库存:9474
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM IPM 3-Phase 30A 600V IGBT
1:¥186.8003
5:¥184.8793
10:¥172.2798
25:¥164.5958
参考库存:3554
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥49.72
10:¥44.9514
25:¥42.8722
100:¥37.1883
参考库存:3954
晶体管
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.3843
参考库存:3531
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:6482
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