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晶体管
IPB027N10N3 G参考图片

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IPB027N10N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥40.7252
40.7252
10
¥34.578
345.78
100
¥29.9676
2996.76
250
¥28.4308
7107.7
1,000
¥21.5152
21515.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
206 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
94 S
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
84 ns
典型接通延迟时间
34 ns
零件号别名
IPB027N10N3GATMA1 IPB27N1N3GXT SP000506508
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB027N10N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SD1013-03
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:19605
NSVMUN5314DW1T3G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR DUAL 50V
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
10,000:¥0.63732
20,000:查看
参考库存:19608
DMN4020LFDE-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET FET BVDSS 31V 40V N-Ch 8A 28Vgs 1060pF
10,000:¥1.1865
参考库存:19611
NVMFS6B85NLWFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 100V 30 MOHM T5 SINGLE S0
5,000:¥4.1697
10,000:¥4.0115
参考库存:19614
SIHF530-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220AB
1:¥7.2207
10:¥5.7969
100:¥4.407
500:¥3.6386
参考库存:6414
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