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晶体管
IKW40N120T2参考图片

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IKW40N120T2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
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库存:7,747(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥65.1558
65.1558
10
¥58.9408
589.408
25
¥56.1723
1404.3075
100
¥48.7934
4879.34
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
Pd-功率耗散
480 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.9 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.03 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW40N120T2FKSA1 IKW4N12T2XK SP000244962
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IKW40N120T2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
5,000:¥4.0341
10,000:¥3.8872
参考库存:42533
晶体管
MOSFET P-Channel,MOSFETS,SOT-23 Package
1:¥5.0737
10:¥3.9437
100:¥2.712
1,000:¥1.4012
30,000:¥1.09836
48,000:查看
参考库存:42536
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥337.7909
5:¥319.4962
10:¥315.8915
25:¥292.1502
参考库存:42539
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 50mA 360mW 3.27mW
391:¥18.1365
500:¥16.2946
1,000:¥13.7521
2,500:¥13.0628
参考库存:42542
晶体管
MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp
1:¥21.9785
10:¥18.2156
100:¥14.9838
250:¥14.5205
3,000:¥10.4525
6,000:查看
参考库存:42545
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