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晶体管
STL150N3LLH6参考图片

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STL150N3LLH6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 30V 33A PWRFLT DEEPGATE
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数量单价合计
1
¥8.4524
8.4524
10
¥7.2094
72.094
100
¥5.537
553.7
500
¥4.8929
2446.45
3,000
¥3.4239
10271.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-5x6-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
150 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
80 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.81 mm
长度
5 mm
系列
STL150N3LLH6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
46 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
17 ns
商品其它信息
优势价格,STL150N3LLH6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50GN/FM4///REEL 13
1:¥1,334.9368
5:¥1,306.7433
10:¥1,278.5385
25:¥1,246.2657
50:¥1,213.9138
参考库存:4636
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥51.5619
10:¥42.7253
100:¥35.1882
250:¥34.1147
500:¥30.5778
参考库存:4939
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥25.2781
10:¥21.5152
100:¥18.5998
250:¥17.6732
500:¥15.8313
参考库存:5038
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V DUAL PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR
1:¥4.5313
10:¥3.8194
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
3,000:¥1.5368
参考库存:6657
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX600H/CFM4F///REEL 13
1:¥1,042.1086
5:¥1,021.6669
10:¥974.0261
25:¥953.5844
50:¥953.5844
参考库存:4642
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