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晶体管
ZXMHC10A07N8TC参考图片

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ZXMHC10A07N8TC

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9
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数量单价合计
1
¥8.7575
8.7575
10
¥7.5258
75.258
100
¥5.7856
578.56
500
¥5.1189
2559.45
1,000
¥4.0341
4034.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1 A, 850 mA
Rds On-漏源导通电阻
700 mOhms, 1.45 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
2.9 nC, 3.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
870 mW
配置
Quad
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
ZXMHC10
晶体管类型
2 N-Channel, 2 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
1.6 S, 1.2 S
下降时间
2.1 ns, 3.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.5 ns, 2.1 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.1 ns, 5.9 ns
典型接通延迟时间
1.8 ns, 1.6 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格,ZXMHC10A07N8TC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500V PNP HiPerf Transistor
1:¥4.5313
10:¥3.8194
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
2,000:¥1.5368
参考库存:16266
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥22.5887
10:¥18.7467
100:¥14.5205
500:¥12.6786
参考库存:4069
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥669.8188
5:¥648.2245
10:¥627.941
25:¥598.6627
参考库存:16271
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.068
10:¥3.4013
100:¥2.0792
1,000:¥1.6046
3,000:¥1.3673
参考库存:5074
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
1:¥81.5295
10:¥74.919
25:¥71.8454
100:¥63.3139
参考库存:2476
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