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晶体管
IRGP4640D-EPBF参考图片

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IRGP4640D-EPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC
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数量单价合计
1
¥45.7989
45.7989
10
¥41.4145
414.145
25
¥39.4935
987.3375
100
¥34.2729
3427.29
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247AD-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
65 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001546168
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRGP4640D-EPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
2,500:¥4.1923
10,000:查看
参考库存:4621
晶体管
MOSFET N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.6052
500:¥11.9102
1,000:¥9.9101
参考库存:2486
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4862
500:¥5.7291
1,000:¥4.5313
3,000:¥4.5313
参考库存:4878
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30Vcbo 30Vceo 7.0Vebo 50mA 625mW
1:¥3.4578
10:¥2.9041
100:¥1.8306
1,000:¥1.3673
参考库存:9314
晶体管
MOSFET
1:¥23.7413
10:¥20.1366
100:¥17.4472
250:¥16.5997
2,000:¥11.9102
4,000:查看
参考库存:3655
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