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晶体管
IKW75N60H3FKSA1参考图片

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IKW75N60H3FKSA1

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库存:1,855(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥64.9298
64.9298
10
¥58.7035
587.035
25
¥55.935
1398.375
100
¥48.5674
4856.74
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
428 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW75N60H3 IKW75N6H3XK SP000906806
单位重量
4.430 g
商品其它信息
优势价格,IKW75N60H3FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
1:¥35.5724
10:¥30.1936
100:¥26.2047
250:¥24.8148
参考库存:3399
晶体管
MOSFET 30V 8.0A 2.98W 28mohm @ 10V
1:¥4.8364
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
3,000:¥1.6159
6,000:查看
参考库存:4770
晶体管
MOSFET N-Ch 560V 16A TO220FP-3 CoolMOS C3
1:¥20.9728
10:¥17.8314
100:¥15.4471
250:¥14.6787
500:¥13.1419
参考库存:1881
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT DISCRETES
1:¥58.5566
10:¥52.9405
25:¥50.4884
100:¥43.7988
参考库存:2209
晶体管
IGBT 晶体管 FS2 TIGBT excellent swtching performance
1:¥82.2188
10:¥74.3088
25:¥70.851
100:¥61.5511
参考库存:2256
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