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晶体管
MJD122T4G参考图片

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MJD122T4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power NPN
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数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.7064
37.064
100
¥2.3843
238.43
1,000
¥1.9097
1909.7
2,500
¥1.9097
4774.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
8 A
最大集电极截止电流
10 uA
Pd-功率耗散
20 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3 (DPAK)
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD122
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
100, 1000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
500 mg
商品其它信息
优势价格,MJD122T4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6A 100V 20W NPN
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
1,800:¥1.9775
参考库存:5779
晶体管
达林顿晶体管 Darlington
1:¥5.763
10:¥4.8364
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
参考库存:28543
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 160V 200mW
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:55227
晶体管
MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
1:¥7.0738
10:¥5.989
100:¥4.6104
500:¥4.0793
2,500:¥2.8589
10,000:查看
参考库存:6781
晶体管
JFET 25V 10mA
1:¥3.5369
10:¥2.6555
100:¥1.4464
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.92999
9,000:¥0.87575
参考库存:13835
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