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晶体管
IPB019N06L3 G参考图片

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IPB019N06L3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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库存:4,516(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.0411
31.0411
10
¥26.3516
263.516
100
¥22.826
2282.6
250
¥21.6734
5418.35
1,000
¥16.3624
16362.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
166 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
113 S
下降时间
38 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
79 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
131 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
IPB019N06L3GATMA1 IPB19N6L3GXT SP000453020
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IPB019N06L3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET N-Channel Silicon JFET-Transistor
1:¥61.698
10:¥50.5562
100:¥41.9569
500:¥38.2618
参考库存:4572
晶体管
MOSFET 20V Sgl N-Chl 2.5V Spec PwrTrch MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.7911
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.12209
参考库存:54215
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 100V 1A
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:8864
晶体管
MOSFET N-CH 900V HEXFET MOSFET
1:¥19.0518
10:¥15.4471
100:¥13.8312
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:5753
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT-223 NPN GP AMP
1:¥3.0736
10:¥2.5538
100:¥1.5594
1,000:¥1.1978
4,000:¥1.02152
参考库存:16432
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