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晶体管
DMN10H220L-7参考图片

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DMN10H220L-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.5199
25.199
100
¥1.5368
153.68
1,000
¥1.1865
1186.5
3,000
¥1.01474
3044.22
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1.6 A
Rds On-漏源导通电阻
220 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
8.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN10
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
3.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.9 ns
典型接通延迟时间
6.8 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，DMN10H220L-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PDTA115TT,215
Nexperia
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双极晶体管 - 预偏置 PNP W/RES 50V
1:¥1.3108
10:¥1.1639
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1,000:¥20.3626
2,000:查看
参考库存:2807
TK13A50DA(STA4,Q,M
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1:¥1.4577
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SI7370DP-T1-E3
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1:¥17.7523
10:¥14.7578
3,000:¥14.7578
参考库存:10732
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