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晶体管
DMP3068L-7参考图片

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DMP3068L-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 72mOhm -10V -3.9A
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.0566
20.566
100
¥0.88366
88.366
1,000
¥0.67574
675.74
3,000
¥0.51528
1545.84
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.3 A
Rds On-漏源导通电阻
72 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
15.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMP3068
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
33.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70.3 ns
典型接通延迟时间
3.5 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，DMP3068L-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MHT2000GNR1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 2450 MHz 25 W CW 28 V
500:¥312.8179
参考库存:30541
DMPH6050SFGQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
3,000:¥2.9154
参考库存:30544
AGR26180EF
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.535-2.655GHz27Watt Gain 12.5dB
10:¥968.184
30:¥857.5344
50:¥774.5472
100:¥746.8848
参考库存:30547
DMC2053UVT-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000:¥0.77631
参考库存:30550
DMT10H072LFDF-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥4.9155
10:¥4.1019
100:¥2.6442
1,000:¥2.1244
3,000:¥2.1244
参考库存:30553
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