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晶体管
FQD2N100TM参考图片

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FQD2N100TM

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库存:42,060(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.6784
8.6784
10
¥7.4128
74.128
100
¥5.6839
568.39
500
¥5.0285
2514.25
1,000
¥3.9663
3966.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
Id-连续漏极电流
1.6 A
Rds On-漏源导通电阻
7.1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FQD2N100
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
1.9 S
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
FQD2N100TM_NL
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FQD2N100TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥4.3844
10:¥3.6838
100:¥2.8024
1,000:¥1.6498
3,000:¥1.4803
9,000:¥1.13
参考库存:4954
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W
1:¥21.9785
10:¥17.6732
100:¥16.1364
250:¥14.5205
参考库存:3056
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A NPN/NPN Low VCEsat Transistor
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
参考库存:5355
晶体管
MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥5.763
10:¥4.9946
100:¥3.8872
500:¥2.9154
1,000:¥2.3504
3,000:¥2.0792
参考库存:79979
晶体管
MOSFET SM CSP SNGL N-CH MOSFET 0.8x0.8x0.1mm
1:¥4.6104
10:¥3.3335
100:¥2.1018
500:¥1.695
1,000:¥1.6159
参考库存:3854
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