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晶体管
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FDN306P

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数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.6216
26.216
100
¥1.5933
159.33
1,000
¥1.2317
1231.7
3,000
¥1.05316
3159.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOT-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
2.6 A
Rds On-漏源导通电阻
40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.12 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDN306P
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.4 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
FDN306P_NL
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格,FDN306P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
1:¥60.3194
10:¥54.4773
25:¥51.9461
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1:¥12.4526
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.0399
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1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
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1:¥47.9459
10:¥43.3355
25:¥41.2676
100:¥35.8888
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晶体管
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1:¥3.6838
10:¥2.8024
100:¥1.5255
1,000:¥1.1413
2,000:¥0.9831
参考库存:4879
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