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晶体管
CSD88599Q5DCT参考图片

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CSD88599Q5DCT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 60V POWERBLOCK N CH MOSFET
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库存:1,619(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥50.6353
50.6353
10
¥45.4938
454.938
100
¥37.3465
3734.65
250
¥35.0413
8760.325
500
¥31.8095
15904.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-CLIP-22
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
1.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
12 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
CSD88599Q5DC
商标
Texas Instruments
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
100.600 mg
商品其它信息
优势价格,CSD88599Q5DCT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 1A
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:30570
晶体管
MOSFET 30V P Chnl UMOS
1:¥6.7574
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
参考库存:11702
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 38 Amp
1:¥9.605
10:¥8.2264
100:¥6.2715
500:¥5.5483
参考库存:5661
晶体管
MOSFET 70V N-Channel 3.8A MOSFET
1:¥5.989
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
参考库存:13704
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥18.5998
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.0627
3,000:¥8.5315
6,000:查看
参考库存:6995
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