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晶体管
DZT591C-13参考图片

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DZT591C-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -60V
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数量单价合计
2,500
¥0.81473
2036.825
10,000
¥0.7684
7684
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 60 V
集电极—基极电压 VCBO
- 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.6 V
最大直流电集电极电流
- 2 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DZT591
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,DZT591C-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET FET 150V 12.4 MOHM PQFN56
1:¥29.6625
10:¥25.199
100:¥21.8203
250:¥20.7468
3,000:¥14.9047
6,000:查看
参考库存:9663
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC59 HV XSTR PNP 300V
1:¥3.6838
10:¥2.5877
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.77631
参考库存:7443
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥860.608
2:¥833.8722
5:¥833.6349
10:¥806.7409
参考库存:1480
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
2,500:¥1.01474
参考库存:2813
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥151.8381
5:¥145.9169
10:¥140.3912
25:¥129.0121
参考库存:1499
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