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晶体管
STGB7NC60HDT4参考图片

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STGB7NC60HDT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 14 Amp
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库存:2,099(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.9046
12.9046
10
¥10.9836
109.836
100
¥8.7575
875.75
500
¥7.6727
3836.35
1,000
¥6.3506
6350.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
10 A
Pd-功率耗散
25 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGB7NC60HD
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
25 A
高度
4.6 mm
长度
10.28 mm
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
14 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STGB7NC60HDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 650V 20A IGBT Stop Trench
1:¥16.8257
10:¥14.2945
100:¥11.4469
500:¥10.0683
1,000:¥8.2942
参考库存:1499
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 16A 140V 150W NPN
1:¥49.2567
10:¥44.4881
50:¥42.4202
100:¥36.8041
参考库存:1896
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A Dual
1:¥580.9104
5:¥569.4635
10:¥545.6431
25:¥528.049
50:¥520.9752
参考库存:1116
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
1:¥3.842
10:¥2.5538
100:¥1.4238
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:14485
晶体管
MOSFET P-Channel MOSFET
1:¥3.616
10:¥2.4634
100:¥1.1752
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.7458
参考库存:21589
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