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晶体管

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APTGT50DH120TG

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:29,796(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥641.3089
641.3089
5
¥620.6412
3103.206
10
¥601.273
6012.73
25
¥573.1473
14328.6825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
277 W
封装 / 箱体
SP4
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT50DH120TG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SOT-23 0.6A 40V VCEO
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:21194
晶体管
IGBT 晶体管 HIGH SPEED SWITCHING
1:¥44.7254
10:¥38.0358
100:¥32.9621
250:¥31.2784
500:¥28.0466
参考库存:4050
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:12389
晶体管
MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.6275
1,000:¥6.3167
2,500:¥6.3167
参考库存:20875
晶体管
MOSFET Nch 30V Vds 0.5A 0.65Rds(on) 2Qg
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:6795
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