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晶体管
STGWT40HP65FB参考图片

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STGWT40HP65FB

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
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库存:1,970(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.21
19.21
10
¥16.2946
162.946
100
¥13.0628
1306.28
500
¥11.3678
5683.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT40HP65FB
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
5.500 g
商品其它信息
优势价格,STGWT40HP65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR NPN 50V
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
10,000:¥0.63732
20,000:查看
参考库存:12073
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
1:¥5.537
10:¥4.6217
100:¥2.9832
1,000:¥2.3843
5,000:¥2.0114
参考库存:6826
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
1:¥37.2674
10:¥31.6626
100:¥27.4364
250:¥26.0465
参考库存:2611
晶体管
MOSFET OptiMOS -5 Power-Transistor
1:¥33.6514
10:¥28.589
100:¥24.8148
250:¥23.5153
参考库存:3913
晶体管
MOSFET Small Signal MOSFET
1:¥3.0736
10:¥2.0453
100:¥1.1413
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
参考库存:5458
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