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晶体管
STGWT40HP65FB参考图片

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STGWT40HP65FB

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
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库存:1,970(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.21
19.21
10
¥16.2946
162.946
100
¥13.0628
1306.28
500
¥11.3678
5683.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT40HP65FB
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
5.500 g
商品其它信息
优势价格,STGWT40HP65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 120V NPN Med Pwr Darlington 1.5A 3.2W
1:¥4.5313
10:¥3.8194
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
5,000:¥1.5368
参考库存:5303
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT COMPLEMENTARY
1:¥2.9945
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
2,500:¥0.791
8,000:¥0.73789
参考库存:10591
晶体管
JFET NCH J-FET
1:¥4.1471
10:¥3.4917
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
3,000:¥1.4012
参考库存:10061
晶体管
MOSFET NCH 120MA 100V SOT23
1:¥4.5313
10:¥3.8194
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
3,000:¥1.5368
参考库存:9944
晶体管
MOSFET -60V -27.5A Pchannel
1:¥12.6786
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.5484
800:¥6.2489
参考库存:3672
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