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晶体管
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DMN66D0LT-7

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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
3,000
¥1.11418
3342.54
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-523-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
115 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
1.6 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN66
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.8 mm
商标
Diodes Incorporated
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
2 mg
商品其它信息
优势价格，DMN66D0LT-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2G22S190-01SR3
NXP Semiconductors
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2G22S190-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
250:¥726.8273
参考库存:31011
2N5457
Central Semiconductor
晶体管
JFET N-Ch 25Vds JFET 25Vgs 10mA 310mW
1:¥10.0683
10:¥8.2264
100:¥6.8591
500:¥5.2997
参考库存:7138
6MS16017P43W40382
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥140,269.6572
参考库存:31016
NVMFS5C430NWFAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
5,000:¥5.0059
10,000:¥4.8138
参考库存:31019
CMLDM7002A
Central Semiconductor
晶体管
MOSFET Dual N-Channel Enh Mode
6,000:¥1.3334
9,000:¥1.2543
24,000:¥1.1865
45,000:¥1.1526
参考库存:31022
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