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晶体管
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FF150R12MS4G

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库存:1,465(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥923.4586
923.4586
5
¥905.3334
4526.667
10
¥863.1392
8631.392
25
¥845.014
21125.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
3.7 V
在25 C的连续集电极电流
225 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1250 W
封装 / 箱体
Econo D
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
152 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF150R12MS4GBOSA1 SP000091944
商品其它信息
优势价格,FF150R12MS4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
2,000:¥5.3675
参考库存:31193
晶体管
MOSFET RAIL PWR-MOS
5,000:¥6.3054
10,000:¥6.0568
参考库存:31196
晶体管
MOSFET -20V-3.1A95OHMpchPWR TRNCHmosfetSCHTKYdio
3,000:¥2.5877
9,000:¥2.486
24,000:¥2.4182
参考库存:31199
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.69156
9,000:¥0.63054
24,000:¥0.59212
45,000:¥0.52206
参考库存:31202
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN
50:¥273.2453
100:¥241.5036
250:¥226.1356
参考库存:31205
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