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晶体管
ZXTP2008ZTA参考图片

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ZXTP2008ZTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V PNP Low Sat
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库存:5,201(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.4805
54.805
100
¥3.5369
353.69
1,000
¥2.825
2825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
- 30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
5.5 A
增益带宽产品fT
110 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTP2008
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.6 mm
商标
Diodes Incorporated
Pd-功率耗散
2100 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格,ZXTP2008ZTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 60 V 11.3 mOhm MOSFET
1:¥5.9212
10:¥4.859
100:¥3.1414
1,000:¥2.5086
1,500:¥2.5086
参考库存:1881
晶体管
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥12.6786
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥6.9043
3,000:¥6.9043
参考库存:10240
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A 35V Low VCEsat
1:¥3.842
10:¥2.8815
100:¥1.5594
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.00683
参考库存:2583
晶体管
MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V
1:¥12.8368
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.0173
2,500:¥7.0173
参考库存:8425
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Pwr Darlington
1:¥18.6676
10:¥16.5997
100:¥13.2888
500:¥11.6842
1,000:¥9.6841
参考库存:2342
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