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晶体管
IRGP30B60KD-EP参考图片

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IRGP30B60KD-EP

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast 5-40kHz
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库存:5,674(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.0984
47.0984
10
¥42.5671
425.671
25
¥40.567
1014.175
100
¥35.1882
3518.82
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
304 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001549784
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRGP30B60KD-EP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TAPE13 MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
4,000:¥1.5594
参考库存:37649
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur SS
1:¥17.1308
10:¥15.2098
100:¥12.2153
500:¥10.6785
参考库存:13367
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥4.6104
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.6724
参考库存:36307
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.370 Ohm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥11.9893
10:¥10.1474
100:¥8.1473
500:¥7.1303
参考库存:3536
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0.5A 300V 15W NPN
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
2,500:¥1.4012
参考库存:38882
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