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晶体管
DMN21D2UFB-7B参考图片

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DMN21D2UFB-7B

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 10K
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库存:16,036(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.4295
24.295
100
¥1.04525
104.525
1,000
¥0.79891
798.91
10,000
¥0.54579
5457.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X1-DFN1006-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
760 mA
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
930 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
380 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN21
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
9.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.2 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19.6 ns
典型接通延迟时间
3.5 ns
单位重量
1 mg
商品其它信息
优势价格,DMN21D2UFB-7B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
1,000:¥7.571
2,500:¥7.0625
参考库存:4667
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 84A D2PAK-2
1:¥40.6461
10:¥34.4989
100:¥29.9676
250:¥28.4308
500:¥25.5154
1,000:¥21.5152
参考库存:3169
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.6159
参考库存:7556
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥5.537
10:¥4.6443
100:¥2.9945
1,000:¥2.3956
1,500:¥2.3956
参考库存:4898
晶体管
MOSFET BUK9Y59-60E/LFPAK/REEL 7" Q1/T
1:¥4.068
10:¥3.4013
100:¥2.0792
1,000:¥1.6046
1,500:¥1.6046
参考库存:8430
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