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晶体管
SPP80N03S2L-04参考图片

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SPP80N03S2L-04

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库存：1,555(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.9049
18.9049
10
¥16.0573
160.573
100
¥12.8368
1283.68
500
¥11.2209
5610.45
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
3.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
105 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
SPP80N03
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
11.5 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
SP000013902 SPP80N03S2L04AKSA1 SPP8N3S2L4XK
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SPP80N03S2L-04的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PDTA115TT,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP W/RES 50V
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:8679
IGB50N60T
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1:¥38.5782
10:¥32.7361
100:¥28.4308
250:¥26.9731
1,000:¥20.3626
2,000:查看
参考库存:2807
TK13A50DA(STA4,Q,M
Toshiba
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1:¥21.2892
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BC847B-7-F
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10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:41685
SI7370DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥17.7523
10:¥14.7578
3,000:¥14.7578
参考库存:10732
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