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晶体管
TN0620N3-G参考图片

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TN0620N3-G

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库存:5,290(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.5259
9.5259
10
¥9.379
93.79
25
¥7.91
197.75
100
¥7.1981
719.81
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
500 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
300 mS
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
220 mg
商品其它信息
优势价格,TN0620N3-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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1:¥116.7968
10:¥106.1974
25:¥98.197
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参考库存:4135
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1:¥2.6103
10:¥1.808
100:¥0.76049
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.4068
参考库存:33700
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1:¥8.4524
10:¥7.2659
100:¥5.5822
500:¥4.9381
1,500:¥3.4465
9,000:查看
参考库存:4259
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1:¥46.0249
10:¥41.0303
100:¥37.4256
250:¥33.7305
参考库存:5264
晶体管
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1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:5824
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