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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	0.213
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-563
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
系列	RN1907
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	6 V
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors
单位重量	3 mg

商品其它信息

优势价格，RN1907FE,LF(CT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IHW20N135R5	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC	1:¥29.041 10:¥24.6679 100:¥21.357 250:¥20.2835 500:¥18.2156	参考库存:4305
2DB1188R-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -32Vceo	1:¥3.0736 10:¥2.4973 100:¥1.5255 1,000:¥1.1865 2,500:¥1.00683	参考库存:5182
IPP60R125P6	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM	1:¥31.8886 10:¥27.0522 100:¥23.4362 250:¥22.2836 500:¥19.9784	参考库存:4773
FDP8441	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET	1:¥27.3573 10:¥23.2102 100:¥20.1366 250:¥19.1309	参考库存:4641
DDTC124TCA-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW	1:¥1.6159 10:¥1.10627 100:¥0.46104 1,000:¥0.31527 3,000:¥0.24634	参考库存:13326