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晶体管
SIRA22DP-T1-RE3参考图片

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SIRA22DP-T1-RE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
1
¥11.4469
11.4469
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.2659
726.59
500
¥6.2602
3130.1
1,000
¥4.9381
4938.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
1.17 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V, - 12 V
Qg-栅极电荷
45.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIR
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
89 S
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
61 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
37 ns
商品其它信息
优势价格，SIRA22DP-T1-RE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RGT40NS65DGTL
ROHM Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V 20A IGBT Stop Trench
1:¥16.8257
10:¥14.2945
100:¥11.4469
500:¥10.0683
1,000:¥8.2942
参考库存:1499
2N3773G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 16A 140V 150W NPN
1:¥49.2567
10:¥44.4881
50:¥42.4202
100:¥36.8041
参考库存:1896
MG12105S-BA1MM
Littelfuse
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A Dual
1:¥580.9104
5:¥569.4635
10:¥545.6431
25:¥528.049
50:¥520.9752
参考库存:1116
HN4C51J(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
1:¥3.842
10:¥2.5538
100:¥1.4238
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:14485
CSD23382F4
Texas Instruments
晶体管
MOSFET P-Channel MOSFET
1:¥3.616
10:¥2.4634
100:¥1.1752
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.7458
参考库存:21589
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