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晶体管
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VRF148A

  • Microsemi
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
6 A
Vds-漏源极击穿电压
170 V
增益
16 dB
输出功率
30 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
工作频率
175 MHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
Pd-功率耗散
115 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.6 V
商品其它信息
优势价格,VRF148A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80V 0.7A
1:¥4.7686
10:¥3.9437
100:¥2.4069
1,000:¥1.8645
2,000:¥1.582
参考库存:41860
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥50.4884
10:¥40.567
25:¥39.8777
100:¥36.9623
参考库存:41863
晶体管
MOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET
1:¥3.2318
10:¥2.6668
100:¥1.6272
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.07576
参考库存:41866
晶体管
MOSFET 600V N-Ch MOSFET QFET
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.8817
1,000:¥5.4353
2,500:¥5.4353
参考库存:41869
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥15.9104
10:¥13.5261
100:¥10.8367
500:¥9.4468
参考库存:41872
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