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晶体管
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VRF148A

  • Microsemi
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
6 A
Vds-漏源极击穿电压
170 V
增益
16 dB
输出功率
30 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
工作频率
175 MHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
Pd-功率耗散
115 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.6 V
商品其它信息
优势价格,VRF148A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 65A 9.3mOhm 83nC
1:¥16.3624
10:¥13.9103
100:¥11.1418
500:¥9.6841
1,000:¥8.0682
参考库存:3902
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 32A 44mOhm 48nC
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.3337
500:¥6.4862
1,000:¥5.1189
2,000:¥5.1189
参考库存:8277
晶体管
MOSFET N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
1:¥26.7358
10:¥22.7469
100:¥19.7524
250:¥18.6676
参考库存:3094
晶体管
IGBT 晶体管 5 A 1200V LOW DROP INTERN CLAMPED IGBT
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9947
参考库存:3554
晶体管
MOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.9891
500:¥7.0512
2,500:¥5.4353
5,000:查看
参考库存:5809
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