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晶体管
CSD18532NQ5B参考图片

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CSD18532NQ5B

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 60V NCh NexFET Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥16.7466
16.7466
10
¥14.2154
142.154
100
¥11.30
1130
500
¥9.9101
4955.05
2,500
¥7.6727
19181.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-CLIP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
151 A
Rds On-漏源导通电阻
3.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
49 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD18532NQ5B
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
140 S
下降时间
2.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
8.2 ns
单位重量
134 mg
商品其它信息
优势价格,CSD18532NQ5B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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1:¥6.8365
10:¥5.6726
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1:¥33.3463
10:¥28.3517
100:¥24.5888
250:¥23.278
500:¥20.905
参考库存:1477
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1:¥6.6896
10:¥5.763
100:¥4.4296
500:¥3.9098
1,500:¥2.7459
9,000:查看
参考库存:2777
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1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
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1:¥2.8476
10:¥2.0227
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
10,000:¥0.5537
20,000:查看
参考库存:19352
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