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晶体管
AUIRF7669L2TR参考图片

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AUIRF7669L2TR

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET
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库存：7,500(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.5782
38.5782
10
¥32.8152
328.152
100
¥28.4308
2843.08
250
¥26.9731
6743.275
4,000
¥18.6676
74670.4
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-L8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
114 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
81 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.74 mm
长度
9.15 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
7.1 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
SP001519182
商品其它信息
优势价格，AUIRF7669L2TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPD30N06S223ATMA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥6.7574
10:¥5.7404
100:¥4.407
500:¥3.8985
2,500:¥2.7233
10,000:查看
参考库存:3584
FF900R12IE4V
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥4,194.0063
参考库存:1095
NVMFS4C310NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 30V NCH
1:¥4.9155
10:¥4.1019
100:¥2.6442
1,000:¥2.1244
1,500:¥1.7854
参考库存:2560
SQJ912BEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
1:¥10.0683
10:¥8.2942
100:¥6.3393
500:¥5.4579
1,000:¥4.3053
3,000:¥4.3053
参考库存:9181
FDB9403L-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
1:¥24.747
10:¥21.0519
100:¥18.2834
250:¥17.289
800:¥13.1419
2,400:查看
参考库存:2641
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