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晶体管
TK17E80W,S1X参考图片

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TK17E80W,S1X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 180W
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库存:4,074(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.2728
32.2728
10
¥25.9674
259.674
100
¥23.6622
2366.22
250
¥21.357
5339.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
180 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
系列
TK17E80W
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Toshiba
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
58 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,TK17E80W,S1X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频开发工具 MRFX1K80H-175MHZ
1:¥6,915.826
参考库存:23082
晶体管
MOSFET N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92
1:¥11.1418
10:¥9.2999
25:¥7.7631
100:¥7.0738
2,000:¥7.0738
参考库存:23085
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP HV 100MA 300V
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.28476
参考库存:22265
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W 20Vceo
2,500:¥0.95259
10,000:¥0.89157
参考库存:23090
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥50.7144
10:¥45.7198
25:¥41.6518
100:¥37.5725
200:¥34.4989
参考库存:23093
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