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晶体管
IGW75N65H5XKSA1参考图片

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IGW75N65H5XKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Infineon s new TRENCHSTOP 5 IGBT technology redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market s high e
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数量单价合计
1
¥40.115
40.115
10
¥34.1147
341.147
100
¥29.5043
2950.43
250
¥28.0466
7011.65
500
¥25.1312
12565.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
395 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW75N65H5 SP001257936
单位重量
6.100 g
商品其它信息
优势价格，IGW75N65H5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRLL024NTRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl
1:¥6.2263
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
2,500:¥2.6781
参考库存:28483
TK4R3A06PL,S4X
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 68A 36W
1:¥15.2889
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:4632
SI5908DC-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
1:¥10.7576
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
3,000:¥4.6104
参考库存:19517
TC6321T-V/9U
Microchip Technology
晶体管
MOSFET THERMAL. ENHANCED COMP. 200V N & P CH. MOSFET PAIR
1:¥11.30
10:¥11.1418
25:¥9.379
100:¥8.5315
3,300:¥8.5315
参考库存:5092
PMZB600UNELYL
Nexperia
晶体管
MOSFET 20 V, N-channel Trench MOSFET
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
10,000:¥0.49155
20,000:查看
参考库存:14270
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