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晶体管
NVD5890NT4G参考图片

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NVD5890NT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 8-64MHZ 3.3V GP EMI
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库存:5,956(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.5205
14.5205
10
¥12.2944
122.944
100
¥9.831
983.1
500
¥8.6106
4305.3
2,500
¥6.6444
16611
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
123 A
Rds On-漏源导通电阻
2.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
74 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
107 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
NVD5890N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
16.8 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,NVD5890NT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Channel MOSFET, SOT-23 package
1:¥4.3053
10:¥3.1188
100:¥1.8419
1,000:¥0.80682
30,000:¥0.52206
48,000:查看
参考库存:29237
晶体管
达林顿晶体管 NPN 120V Darlington
1:¥4.9155
10:¥4.1358
100:¥2.5199
1,000:¥1.9549
2,000:¥1.6724
参考库存:9649
晶体管
MOSFET 12V Vds 5V Vgs PowerPAK 0806
1:¥3.0736
10:¥2.034
100:¥0.99101
500:¥0.84524
3,000:¥0.50737
6,000:查看
参考库存:39186
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7
1:¥2.9154
10:¥2.2713
100:¥1.2317
1,000:¥0.92999
2,000:¥0.79891
参考库存:2284
晶体管
MOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A
1:¥15.594
10:¥13.221
100:¥10.5994
500:¥9.2208
4,000:¥6.9043
8,000:查看
参考库存:3759
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