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晶体管
STGB14NC60KDT4参考图片

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STGB14NC60KDT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
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库存:6,121(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.9046
12.9046
10
¥10.9836
109.836
100
¥8.7575
875.75
500
¥7.6727
3836.35
1,000
¥6.3506
6350.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGB14NC60KDT4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
25 A
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
2 A
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STGB14NC60KDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-CH Logic Level PowerTrench MOSFET
1:¥23.2102
10:¥19.7524
100:¥17.1308
250:¥16.2155
500:¥14.5205
800:¥14.5205
参考库存:7731
晶体管
MOSFET N-CH 40 V 7.6 MOHM MOSFET
1:¥7.5258
10:¥6.3845
100:¥4.9042
500:¥4.3392
800:¥3.4239
参考库存:9629
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 11A 11.9mOhm 6.2nC Qg
1:¥3.7629
10:¥3.1301
100:¥1.9097
1,000:¥1.4803
4,000:¥1.2656
参考库存:12250
晶体管
MOSFET Nch Small Signal MOSFET
1:¥2.4634
10:¥1.6724
100:¥0.69947
1,000:¥0.47686
8,000:¥0.31527
24,000:查看
参考库存:89729
晶体管
MOSFET 60V, 36A, N Chan Logic Lvl PowerTrnch
1:¥7.9891
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.6556
2,500:¥3.2544
10,000:查看
参考库存:7830
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