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晶体管
SQD23N06-31L_T4GE3参考图片

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SQD23N06-31L_T4GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V Vds 20V Vgs TO-252
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数量单价合计
2,500
¥2.8363
7090.75
5,000
¥2.7007
13503.5
10,000
¥2.5877
25877
25,000
¥2.5086
62715
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
31 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
37 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
6 ns
商品其它信息
优势价格，SQD23N06-31L_T4GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MM3007
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24,000:¥0.30736
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参考库存:16794
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10,000:¥0.5989
20,000:¥0.56048
参考库存:29649
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暂无价格
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参考库存:29655
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