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晶体管
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MJ11013

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库存:4,956(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥87.0552
87.0552
10
¥86.2868
862.868
25
¥78.6028
1965.07
100
¥70.9979
7099.79
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
90 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—基极电压 VCBO
90 V
最大直流电集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
200 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3
系列
MJ11013
封装
Tube
高度
11.43 mm
长度
39.36 mm
宽度
26.67 mm
商标
Central Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
1000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
零件号别名
MJ11013 PBFREE
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,MJ11013的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T8 40V LOW COSS
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥24.0464
250:¥22.826
1,500:¥17.2099
参考库存:5576
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 950 V, 4.3 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.6049
500:¥6.7235
参考库存:7143
晶体管
MOSFET NFET DPAK 60V 9A 1 50MOHM
1:¥5.4579
10:¥4.5765
100:¥2.9493
1,000:¥2.3617
2,500:¥2.0001
参考库存:6502
晶体管
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥309.4392
5:¥302.5236
10:¥288.6924
25:¥276.624
参考库存:4247
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8
1:¥7.8422
10:¥6.7122
100:¥5.1528
500:¥4.5539
1,500:¥3.1866
9,000:查看
参考库存:4314
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