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晶体管
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BUL1102E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage fast switching NPN power transistor
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1
¥7.7631
7.7631
10
¥6.6331
66.331
100
¥5.0963
509.63
500
¥4.4974
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
450 V
发射极 - 基极电压 VEBO
12 V
最大直流电集电极电流
4 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BUL1102E
高度
15.75 mm
长度
10.4 mm
封装
Tube
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
35 at 250 mA, 5 V, 12 at 2 A, 5 V
Pd-功率耗散
70 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，BUL1102E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF840STRRPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET D2-PA
1:¥21.9785
10:¥18.2834
100:¥14.1363
500:¥12.4526
800:¥10.2943
参考库存:1730
IPW60R099CPAFKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTOMOTIVE
1:¥60.4776
10:¥54.6355
25:¥52.093
100:¥45.2565
参考库存:1335
SIHA22N60E-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥30.1258
10:¥24.8939
100:¥20.5208
250:¥19.8993
参考库存:1745
2SK3756(TE12L,F)
Toshiba
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS
1:¥12.9046
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2546
1,000:¥6.0116
参考库存:2227
FDD6N50TM-WS
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 500V 6A N-Channel
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2884
500:¥4.6669
1,000:¥3.6838
2,500:¥3.6838
参考库存:3199
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