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晶体管
BUL1102E参考图片

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BUL1102E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage fast switching NPN power transistor
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库存:4,499(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.7631
7.7631
10
¥6.6331
66.331
100
¥5.0963
509.63
500
¥4.4974
2248.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
450 V
发射极 - 基极电压 VEBO
12 V
最大直流电集电极电流
4 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BUL1102E
高度
15.75 mm
长度
10.4 mm
封装
Tube
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
35 at 250 mA, 5 V, 12 at 2 A, 5 V
Pd-功率耗散
70 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,BUL1102E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥28.3517
10:¥23.5153
100:¥19.3682
250:¥18.7467
500:¥16.8257
3,000:¥16.8257
参考库存:29647
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MMBT3904/TO-236AB/REEL 11" Q3/
1:¥0.7684
10:¥0.66896
100:¥0.23843
1,000:¥0.16159
10,000:¥0.10735
20,000:查看
参考库存:122395
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥36.4199
10:¥30.962
100:¥26.8149
250:¥25.4363
参考库存:2637
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥7.8422
10:¥6.7235
100:¥5.1641
500:¥4.5652
参考库存:3028
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 0.004 Ohm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
3,000:¥5.7065
6,000:查看
参考库存:3349
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