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晶体管
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BUL1102E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage fast switching NPN power transistor
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
450 V
发射极 - 基极电压 VEBO
12 V
最大直流电集电极电流
4 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BUL1102E
高度
15.75 mm
长度
10.4 mm
封装
Tube
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
35 at 250 mA, 5 V, 12 at 2 A, 5 V
Pd-功率耗散
70 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，BUL1102E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT50GT120B2RDQ2G
Microsemi
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IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
1:¥135.7808
10:¥123.4073
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1:¥3.6838
10:¥2.373
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1,000:¥0.78422
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RQ5L015SPTL
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1:¥3.1527
10:¥2.5538
100:¥1.5594
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.02943
参考库存:22178
PMBT4401,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SW 600MA 40V
1:¥0.99892
10:¥0.91417
100:¥0.32318
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.1695
参考库存:63891
2SA1163-GR,LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 120V 100MA PNP TRANSISTOR
1:¥2.4634
10:¥1.5707
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.33787
参考库存:18922
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