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晶体管
STB80NF55-06-1参考图片

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STB80NF55-06-1

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch, 55V-0.005ohms 80A
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数量单价合计
1
¥23.4362
23.4362
10
¥19.8993
198.993
100
¥17.289
1728.9
250
¥16.3624
4090.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Tube
高度
8.95 mm
长度
10 mm
系列
STB80NF55-06-1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
65 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
155 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
125 ns
典型接通延迟时间
27 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,STB80NF55-06-1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
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3,000:¥0.32318
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1:¥14.5205
10:¥12.0684
3,000:¥12.0684
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1:¥12.1362
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1,000:¥5.9664
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1:¥3.9211
10:¥2.1696
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
8,000:¥0.48364
24,000:查看
参考库存:41704
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24301HS-2450/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:41707
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