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晶体管
IGW50N65H5AXKSA1参考图片

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IGW50N65H5AXKSA1

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库存:4,735(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.1775
47.1775
10
¥42.6462
426.462
25
¥40.7252
1018.13
100
¥35.3464
3534.64
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
305 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW50N65H5A SP001187520
商品其它信息
优势价格,IGW50N65H5AXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch
1:¥6.1472
10:¥5.1076
100:¥3.2996
1,000:¥2.6329
2,500:¥2.6329
参考库存:6375
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V Dual Switching NPN
1:¥3.2318
10:¥2.0453
100:¥0.87575
1,000:¥0.67574
4,000:¥0.51528
参考库存:18131
晶体管
达林顿晶体管 10A 100V Bipolar Power PNP
1:¥13.8312
10:¥11.752
100:¥9.379
500:¥8.2264
参考库存:4155
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 3A 10V
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:6082
晶体管
MOSFET Std N-chanMOSFET
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥16.1364
250:¥15.2889
800:¥11.6051
2,400:查看
参考库存:6152
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