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晶体管
IGW50N65H5AXKSA1参考图片

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IGW50N65H5AXKSA1

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库存:4,735(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.1775
47.1775
10
¥42.6462
426.462
25
¥40.7252
1018.13
100
¥35.3464
3534.64
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
305 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW50N65H5A SP001187520
商品其它信息
优势价格,IGW50N65H5AXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Comp. 60V NP-Chnl
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
1,000:¥6.6896
参考库存:1933
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥1.01474
9,000:¥0.95259
24,000:¥0.87575
45,000:¥0.82264
参考库存:35731
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3
1:¥18.9049
10:¥16.0573
100:¥12.8368
500:¥11.2209
参考库存:1555
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥7.2207
10:¥5.9777
100:¥4.5878
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
2,500:¥3.1075
参考库存:3822
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 10A 50V
1:¥6.9947
10:¥5.7743
100:¥3.729
1,000:¥2.9832
参考库存:2185
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