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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SMV-5
直流集电极/Base Gain hfe Min	50
最大工作频率	200 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2702
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
工作温度范围	- 55 C to + 150 C
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，RN2702JE(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DMT3006LDK-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V	1:¥4.3844 10:¥3.6838 100:¥2.8024 1,000:¥1.6498 3,000:¥1.4803 9,000:¥1.13	参考库存:4954
TK10A80W,S4X	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W	1:¥21.9785 10:¥17.6732 100:¥16.1364 250:¥14.5205	参考库存:3056
PBSS4160DSH	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A NPN/NPN Low VCEsat Transistor	1:¥2.6103 10:¥2.0453 100:¥1.10627 1,000:¥0.82942 3,000:¥0.71416	参考库存:5355
SQ2319ADS-T1_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified	1:¥5.763 10:¥4.9946 100:¥3.8872 500:¥2.9154 1,000:¥2.3504 3,000:¥2.0792	参考库存:79979
FK4B01100L1	Panasonic	晶体管	PDF数据手册	MOSFET SM CSP SNGL N-CH MOSFET 0.8x0.8x0.1mm	1:¥4.6104 10:¥3.3335 100:¥2.1018 500:¥1.695 1,000:¥1.6159	参考库存:3854