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晶体管
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FDP5N50NZ

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数量单价合计
1
¥8.6106
8.6106
10
¥7.3563
73.563
100
¥5.65
565
500
¥4.9946
2497.3
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.38 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP5N50NZ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
3.54 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FDP5N50NZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC849CLT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 30V NPN
1:¥0.92208
10:¥0.78422
100:¥0.27685
1,000:¥0.18419
3,000:¥0.14577
参考库存:69978
2SA2126-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH-CURRENT SWITCHING
1:¥4.7686
10:¥3.955
100:¥2.5538
1,000:¥2.0453
参考库存:1800
ZXTN25012EFHTA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 12V HIGH GAIN
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.9662
参考库存:1481
MMBTH11
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor
1:¥2.2261
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:20411
DTB543EMT2L
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.5312
100:¥1.1526
1,000:¥0.92208
8,000:¥0.69156
48,000:查看
参考库存:9309
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