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晶体管
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FCMT299N60

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库存:6,663(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.5998
18.5998
10
¥15.7522
157.522
100
¥12.5995
1259.95
500
¥11.0627
5531.35
3,000
¥8.5315
25594.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Power-88-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
299 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
商标名
SuperFET II
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
8 mm
系列
FCMT299N60
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
8 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
51 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
449.030 mg
商品其它信息
优势价格,FCMT299N60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V 70Amp N channel Power Mosfet with ESD protection
1:¥5.3788
10:¥4.6895
100:¥3.6047
500:¥2.6781
2,500:¥1.8871
5,000:查看
参考库存:8016
晶体管
MOSFET N-Channel
1:¥2.6103
10:¥1.7176
100:¥0.73789
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.43053
参考库存:8470
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V
1:¥1.3108
10:¥1.04525
100:¥0.36838
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.1921
参考库存:113513
晶体管
MOSFET 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:86874
晶体管
MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 72mOhm -10V -3.9A
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:44527
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