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晶体管
STW58N65DM2AG参考图片

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STW58N65DM2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
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库存:2,900(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥78.6028
78.6028
10
¥71.077
710.77
25
¥67.7774
1694.435
100
¥58.8617
5886.17
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
48 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
88 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
高度
5.15 mm
长度
20.15 mm
产品
Power MOSFET
系列
STW58N65DM2AG
晶体管类型
1 N-Channel
类型
High Voltage
宽度
15.75 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
7.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
31 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
157 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STW58N65DM2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:14688
晶体管
MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.7461
100:¥5.1867
500:¥4.5765
1,000:¥3.616
参考库存:4484
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 15V 0.5A 6-Pin
1:¥2.8476
10:¥2.1131
100:¥1.1413
1,000:¥0.86106
8,000:¥0.69156
24,000:查看
参考库存:24246
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥5.0737
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
2,500:¥2.147
参考库存:6697
晶体管
MOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
1:¥5.2206
10:¥4.294
100:¥2.7685
1,000:¥2.2261
5,000:¥1.8758
参考库存:8118
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